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NTB082N65S3F

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品番
NTB082N65S3F
メーカー
ON Semiconductor
説明
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
NTB082N65S3F
メーカー
ON Semiconductor
説明
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
81nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3410pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
313W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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