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IS61QDP2B21M18A-333M3L

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品番
IS61QDP2B21M18A-333M3L
メーカー
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
説明
IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IS61QDP2B21M18A-333M3L.pdf
合計:$41.10752
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$41.10752

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品番
IS61QDP2B21M18A-333M3L
メーカー
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
説明
IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
部品ステータス
Active
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
SRAM
技術
SRAM - Synchronous, QUADP
メモリー容量
18Mb (1M x 18)
クロック周波数
333MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ
-
アクセス時間
8.4ns
メモリインターフェース
Parallel
電圧-供給
1.71V ~ 1.89V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
165-LBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
165-LFBGA (15x17)

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