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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMT6004SCT

DMT6004SCT

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品番
DMT6004SCT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMT6004SCT.pdf
合計:$2.20000
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$2.20000

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品番
DMT6004SCT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
3.65 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
95.4nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4556pF @ 30V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.3W (Ta), 113W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3

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