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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FQU20N06LTU

FQU20N06LTU

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品番
FQU20N06LTU
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQU20N06LTU.pdf
合計:$1.05000
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$1.05000

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品番
FQU20N06LTU
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
17.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
60 mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
13nC @ 5V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
630pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.5W (Ta), 38W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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