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SIZ200DT-T1-GE3

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品番
SIZ200DT-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH DUAL 30V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIZ200DT-T1-GE3.pdf
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品番
SIZ200DT-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH DUAL 30V
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
パワー-最大
4.3W (Ta), 33W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PowerPair® (3.3x3.3)

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