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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDG327N

FDG327N

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品番
FDG327N
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDG327N.pdf
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品番
FDG327N
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
6.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
423pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
420mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-88 (SC-70-6)
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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