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FF11MR12W1M1B11BOMA1

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品番
FF11MR12W1M1B11BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
合計:$163.62000
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$163.62000

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品番
FF11MR12W1M1B11BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
100A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id
5.55V @ 40mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
250nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
7950pF @ 800V
パワー-最大
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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