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GPAS1006 MNG

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品番
GPAS1006 MNG
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GPAS1006 MNG.pdf
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品番
GPAS1006 MNG
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
800V
電流-平均整流(Io)
10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.1V @ 10A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F
50pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C

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