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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FCH125N60E

FCH125N60E

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品番
FCH125N60E
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FCH125N60E.pdf
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$3.27716

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品番
FCH125N60E
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
95nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2990pF @ 380V
FET機能
-
消費電力（最大）
278W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
パッケージ/ケース
TO-247-3

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