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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IRF9Z14LPBF

IRF9Z14LPBF

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品番
IRF9Z14LPBF
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF9Z14LPBF.pdf
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品番
IRF9Z14LPBF
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
12nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
270pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.7W (Ta), 43W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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