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SI5913DC-T1-E3

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品番
SI5913DC-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI5913DC-T1-E3.pdf
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品番
SI5913DC-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
84 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
12nC @ 10V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
330pF @ 10V
FET機能
Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大)
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース
8-SMD, Flat Lead

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