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HGTG30N60B3D

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品番
HGTG30N60B3D
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 60A 208W TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HGTG30N60B3D.pdf
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$6.81000

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品番
HGTG30N60B3D
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 60A 208W TO247
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
600V
電流-コレクター(Ic)(最大)
60A
電流-パルスコレクター(Icm)
220A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
1.9V @ 15V, 30A
パワー-最大
208W
スイッチングエネルギー
550µJ (on), 680µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
170nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
36ns/137ns
試験条件
480V, 30A, 3 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
55ns
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247

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