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STB30NM60ND

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品番
STB30NM60ND
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
STB30NM60ND
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
100nC @ 10V
Vgs(最大)
±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2800pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
190W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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