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IPAW60R180P7SXKSA1

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品番
IPAW60R180P7SXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
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$2.02000

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品番
IPAW60R180P7SXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 280µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1081pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
26W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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