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IPN50R650CEATMA1

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品番
IPN50R650CEATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPN50R650CEATMA1.pdf
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品番
IPN50R650CEATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
13V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
15nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
342pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
5W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223
パッケージ/ケース
SOT-223-3

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