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IPW65R099C6FKSA1

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品番
IPW65R099C6FKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPW65R099C6FKSA1.pdf
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$7.77000

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品番
IPW65R099C6FKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
38A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 1.2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
127nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2780pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
278W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ/ケース
TO-247-3

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