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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1

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品番
IPB65R660CFDAATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB65R660CFDAATMA1.pdf
合計:$1.13261
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$1.13261

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品番
IPB65R660CFDAATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO263-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
20nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
543pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
62.5W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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