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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FQB19N20TM

FQB19N20TM

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品番
FQB19N20TM
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQB19N20TM.pdf
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品番
FQB19N20TM
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
19.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
150 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
40nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1600pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.13W (Ta), 140W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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