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SIR104DP-T1-RE3

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品番
SIR104DP-T1-RE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIR104DP-T1-RE3.pdf
合計:$1.27323
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品番
SIR104DP-T1-RE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
18.3A (Ta), 79A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
7.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
6.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
84nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4230pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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