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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IRFW630BTM-FP001

IRFW630BTM-FP001

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品番
IRFW630BTM-FP001
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.53210
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$0.53210

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品番
IRFW630BTM-FP001
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
29nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
720pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.13W (Ta), 72W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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