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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSB165N15NZ3GXUMA1

BSB165N15NZ3GXUMA1

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品番
BSB165N15NZ3GXUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSB165N15NZ3GXUMA1.pdf
合計:$1.70467
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$1.70467

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品番
BSB165N15NZ3GXUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 110µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
35nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2800pF @ 75V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.8W (Ta), 78W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース
3-WDSON

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