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TPH1110ENH,L1Q

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品番
TPH1110ENH,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.63280
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品番
TPH1110ENH,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
7.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
7nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
600pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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