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SIHA100N60E-GE3

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品番
SIHA100N60E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHA100N60E-GE3.pdf
合計:$5.57000
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$5.57000

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品番
SIHA100N60E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
50nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1851pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
35W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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