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FQP7N80C

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品番
FQP7N80C
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQP7N80C.pdf
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品番
FQP7N80C
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1.9 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
35nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1680pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
167W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3

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