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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPU80R1K0CEBKMA1

IPU80R1K0CEBKMA1

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品番
IPU80R1K0CEBKMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPU80R1K0CEBKMA1.pdf
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品番
IPU80R1K0CEBKMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
部品ステータス
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
5.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.9V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
31nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
785pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO251-3
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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