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PMPB12UN,115

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品番
PMPB12UN,115
メーカー
NXP Semiconductors
説明
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
PMPB12UN,115
メーカー
NXP Semiconductors
説明
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
7.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
13nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
886pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-DFN2020MD (2x2)
パッケージ/ケース
6-UDFN Exposed Pad

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