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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル STD12N60M2

STD12N60M2

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品番
STD12N60M2
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.74690
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$0.74690

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品番
STD12N60M2
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
450 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
16nC @ 10V
Vgs（最大）
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
538pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
85W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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