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HGT1S20N60C3S9A

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品番
HGT1S20N60C3S9A
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HGT1S20N60C3S9A.pdf
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品番
HGT1S20N60C3S9A
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
600V
電流-コレクター(Ic)(最大)
45A
電流-パルスコレクター(Icm)
300A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
1.8V @ 15V, 20A
パワー-最大
164W
スイッチングエネルギー
295µJ (on), 500µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
91nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
28ns/151ns
試験条件
480V, 20A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263AB

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