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GP1M006A065CH

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品番
GP1M006A065CH
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
GP1M006A065CH
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
5.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
17nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1177pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
120W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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