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RN1908FE(TE85L,F)

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品番
RN1908FE(TE85L,F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
RN1908FE(TE85L,F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
部品ステータス
Active
トランジスタータイプ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大)
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
50V
抵抗-ベース(R1)
22 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2)
47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大)
100nA (ICBO)
頻度-遷移
250MHz
パワー-最大
100mW
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ
ES6

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