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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDU8870

FDU8870

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品番
FDU8870
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDU8870.pdf
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品番
FDU8870
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
21A (Ta), 160A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
3.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
118nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
5160pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
160W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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