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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1

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品番
BSZ042N04NSGATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSZ042N04NSGATMA1.pdf
合計:$0.51322
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$0.51322

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品番
BSZ042N04NSGATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 36µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
46nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3700pF @ 20V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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