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DMN1019UFDE-7

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品番
DMN1019UFDE-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN1019UFDE-7.pdf
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品番
DMN1019UFDE-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
50.6nC @ 8V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2425pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
690mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース
6-UDFN Exposed Pad

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