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W949D2DBJX5E

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品番
W949D2DBJX5E
メーカー
Winbond Electronics
説明
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
W949D2DBJX5E.pdf
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$3.87000

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品番
W949D2DBJX5E
メーカー
Winbond Electronics
説明
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
部品ステータス
Active
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR
メモリー容量
512Mb (16M x 32)
クロック周波数
200MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5ns
メモリインターフェース
Parallel
電圧-供給
1.7V ~ 1.95V
動作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
90-VFBGA (8x13)

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