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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

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品番
IPB60R199CPAATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB60R199CPAATMA1.pdf
合計:$2.17910
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$2.17910

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品番
IPB60R199CPAATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO263-3
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
16A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 1.1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
43nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1520pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
139W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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