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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

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品番
APT1003RBLLG
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
APT1003RBLLG.pdf
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品番
APT1003RBLLG
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
34nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
694pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
139W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247 [B]
パッケージ/ケース
TO-247-3

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