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IXFA6N120P TRL

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品番
IXFA6N120P TRL
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFA6N120P TRL.pdf
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品番
IXFA6N120P TRL
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
92nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2830pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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