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ES3JB M4G

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品番
ES3JB M4G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
ES3JB M4G.pdf
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品番
ES3JB M4G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.45V @ 3A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
35ns
電流-Vrでの逆漏れ
10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F
34pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C

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