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SI2367DS-T1-GE3

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品番
SI2367DS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI2367DS-T1-GE3.pdf
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品番
SI2367DS-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
23nC @ 8V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
561pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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