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JAN1N4454-1

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品番
JAN1N4454-1
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
JAN1N4454-1.pdf
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品番
JAN1N4454-1
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
50V
電流-平均整流(Io)
200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1V @ 10mA
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr)
4ns
電流-Vrでの逆漏れ
100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F
-
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-35
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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