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BSS806NEH6327XTSA1

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品番
BSS806NEH6327XTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSS806NEH6327XTSA1.pdf
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品番
BSS806NEH6327XTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 2.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
0.75V @ 11µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
1.7nC @ 2.5V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
529pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
500mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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