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HGT1S7N60A4DS

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品番
HGT1S7N60A4DS
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HGT1S7N60A4DS.pdf
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品番
HGT1S7N60A4DS
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
部品ステータス
Obsolete
IGBTタイプ
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
600V
電流-コレクター(Ic)(最大)
34A
電流-パルスコレクター(Icm)
56A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.7V @ 15V, 7A
パワー-最大
125W
スイッチングエネルギー
55µJ (on), 60µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
37nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
11ns/100ns
試験条件
390V, 7A, 25 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
34ns
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263AB

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