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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1

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品番
IPW60R190E6FKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPW60R190E6FKSA1.pdf
合計:$4.15000
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$4.15000

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品番
IPW60R190E6FKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
20.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 630µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
63nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1400pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
151W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ/ケース
TO-247-3

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