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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

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品番
DMN1150UFB-7B
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN1150UFB-7B.pdf
合計:$0.07350
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$0.07350

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品番
DMN1150UFB-7B
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.41A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
106pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
500mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
3-DFN1006 (1.0x0.6)
パッケージ/ケース
3-UFDFN

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