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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXTA260N055T2

IXTA260N055T2

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品番
IXTA260N055T2
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTA260N055T2.pdf
合計:$3.10500
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$3.10500

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品番
IXTA260N055T2
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
260A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
3.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
140nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
10800pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
480W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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