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IPW60R055CFD7XKSA1

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品番
IPW60R055CFD7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
HIGH POWERNEW
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPW60R055CFD7XKSA1.pdf
合計:$11.32000
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$11.32000

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品番
IPW60R055CFD7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
HIGH POWERNEW
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
38A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
55 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 900µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
79nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3194pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
178W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ/ケース
TO-247-3

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