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BAS116E6327HTSA1

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品番
BAS116E6327HTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BAS116E6327HTSA1.pdf
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品番
BAS116E6327HTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
部品ステータス
Last Time Buy
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
80V
電流-平均整流(Io)
250mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.25V @ 150mA
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ
5nA @ 75V
静電容量@ Vr、F
2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
動作温度-ジャンクション
150°C (Max)

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