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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXFH16N120P

IXFH16N120P

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品番
IXFH16N120P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFH16N120P.pdf
合計:$14.26000
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$14.26000

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品番
IXFH16N120P
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
16A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
950 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
6.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
120nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
6900pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
660W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース
TO-247-3

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