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SQJ401EP-T1_GE3

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品番
SQJ401EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQJ401EP-T1_GE3.pdf
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品番
SQJ401EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
32A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
164nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
10015pF @ 6V
FET機能
-
消費電力(最大)
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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