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MBR600200CTR

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品番
MBR600200CTR
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
MBR600200CTR.pdf
合計:$127.94160
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$127.94160

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品番
MBR600200CTR
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
部品ステータス
Active
ダイオード構成
1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ
Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと)
300A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
920mV @ 300A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
3mA @ 200V
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ
Twin Tower

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